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单二极管
Rectron USA
DIODE GEN PURP
-
卷带式 (TR)
1


DIODE GEN PURP 1KV 1A R-1

产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Rectron USA
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱R-1, Axial
安装类型Through Hole
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
技术Standard
电容@Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)1A
供应商设备包R-1
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)1000 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1 V @ 1 A
电流 - 反向漏电流@Vr1 µA @ 1000 V

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