ALD212900APAL
| ： | ALD212900APAL |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Advanced Linear Devices, Inc. |
| ： | MOSFET 2N-CH 10 |
| ： | - |
| ： | 管子 |
| ： | 1 |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Advanced Linear Devices, Inc. |
| 系列 | EPAD®, Zero Threshold™ |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 漏源电压 (Vdss) | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 80mA |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 30pF @ 5V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 14Ohm |
| 场效应管特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 10mV @ 20µA |
| 供应商设备包 | 8-PDIP |
