FBG20N18BSH
| ： | FBG20N18BSH |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | EPC Space |
| ： | GAN FET HEMT 20 |
| ： | - |
| ： | 散装 |
| ： | |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | EPC Space |
| 系列 | e-GaN® |
| 包裹 | 散装 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 4-SMD, No Lead |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 28mOhm @ 18A, 5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 3mA |
| 供应商设备包 | 4-SMD |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 5V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| 漏源电压 (Vdss) | 200 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 7 nC @ 5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 900 pF @ 100 V |
