FDZ663P
| ： | FDZ663P |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Fairchild Semiconductor |
| ： | FDZ663P - FDZ66 |
| ： | - |
| ： | 散装 |
| ： | |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包裹 | 散装 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 4-XFBGA, WLCSP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | P-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 134mOhm @ 2A, 4.5V |
| 功耗（最大） | 1.3W (Ta) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1.2V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 4-WLCSP (0.8x0.8) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 1.5V, 4.5V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 漏源电压 (Vdss) | 20 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 8.2 nC @ 4.5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 525 pF @ 10 V |
