: | G3R60MT07J-TR |
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: | 单 FET、MOSFET |
: | GeneSiC Semiconductor |
: | 650V 60M TO-263 |
: | - |
: | 卷带式 (TR) |
: | 1 |
类型 | 描述 |
制造商 | GeneSiC Semiconductor |
系列 | G3R™, LoRing™ |
包裹 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
功耗(最大) | 182W (Tc) |
供应商设备包 | TO-263-7 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 15V |
漏源电压 (Vdss) | 750 V |