IGN1011L70
| ： | IGN1011L70 |
|---|---|
| ： | RF FET、MOSFET |
| ： | Integra Technologies |
| ： | RF MOSFET GAN H |
| ： | - |
| ： | 散装 |
| ： | 1 |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Integra Technologies |
| 系列 | - |
| 包裹 | 散装 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | PL32A2 |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 频率 | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| 功率输出 | 80W |
| 获得 | 22dB |
| 技术 | GaN HEMT |
| 供应商设备包 | PL32A2 |
| 额定电压 | 120 V |
| 电压 - 测试 | 50 V |
| 当前-测试 | 22 mA |
