MMBT4401

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MMBT4401
单双极晶体管
Anbon Semiconductor
GENERAL PURPOSE
-
卷带式 (TR)
1
MMBT4401
华轩阳-HXY MOSFET
晶体管
MMBT4403L
安森美-ONSEMI
PNP 双极晶体管
MMBT4403M3
安森美-ONSEMI
PNP Bipolar Transistor
MMBT4403T
达尔-Diodes
PNP, 40V, 0.6A, SOT523
MMBT4403W
创基-CBI
PNP小信号三极管
MMBT4401Q
扬杰-YJ
小信号三极管
MMBT4401T
达尔-Diodes
NPN, 40V, 0.6A, SOT523
MMBT4401M3
安森美-ONSEMI
NPN 双极晶体管
MMBT4400
安森美-ONSEMI
MMBT4400: NPN General Purpose Amplifier
MMBT4401L
安森美-ONSEMI
40 V, 600 mA NPN Bipolar Junction Transistor
MMBT4401WT1
安森美-ONSEMI
NPN 双极晶体管
MMBT4403
创基-CBI
PNP小信号三极管
MMBT4401-AU
强茂-Panjit
通用型双极晶体管
MMBT4401W
创基-CBI
NPN小信号三极管
MMBT4401-AQ
德欧泰克-Diotec
Bipolar Transistors
MMBT4403Q
扬杰-YJ
小信号三极管
MMBT4403HE3
美微科-MCC
Small Signal Bipolar Transistors
MMBT4403U
创基-CBI
PNP小信号三极管
MMBT4401U
创基-CBI
NPN小信号三极管
MMBT4401-Q
德欧泰克-Diotec
Bipolar Transistors
MMBT4403-Q
友顺-UTC
Bipolar Transistor
MMBT4403-AQ
德欧泰克-Diotec
Bipolar Transistors
MMBT4401HE3
美微科-MCC
Small Signal Bipolar Transistors


GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN

产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Anbon Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型Surface Mount
晶体管类型NPN
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic750mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大)100nA
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce100 @ 150mA, 1V
频率-转变250MHz
供应商设备包SOT-23-3L
集电极电流 (Ic)(最大)600 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)40 V
功率 - 最大350 mW

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