SQ1563AEH-T1_GE3
| ： | SQ1563AEH-T1_GE3 |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Vishay / Siliconix |
| ： | MOSFET N/P-CH 2 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | N and P-Channel |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 漏源电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 850mA (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 89pF @ 10V, 84pF @ 10V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
