TP65H070G4QS-TR
| ： | TP65H070G4QS-TR |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Transphorm |
| ： | 650 V 29 A GAN |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 1 |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Transphorm |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerSFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| 功耗（最大） | 96W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.8V @ 700µA |
| 供应商设备包 | TOLL |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 8.4 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 600 pF @ 400 V |
